ركيزة مركبة من 6 إلى 8 بوصات من LN-on-Si بسمك 0.3 إلى 50 ميكرومتر من مواد Si/SiC/Sapphire
المعايير الفنية
| 0.3-50 ميكرومتر LN/LT على العوازل | |
| الطبقة العلوية | |
| القطر | 6-8 بوصة |
| توجيه | X، Z، Y-42 وما إلى ذلك. |
| مواد | LT، LN |
| سماكة | 0.3-50 ميكرومتر |
| الركيزة (مخصصة) | |
| مادة | السيليكون، كربيد السيليكون، الياقوت، الإسبنيل، الكوارتز |
الميزات الرئيسية
تتميز الركيزة المركبة LN-on-Si التي يبلغ حجمها من 6 إلى 8 بوصات بخصائصها المادية الفريدة والمعلمات القابلة للضبط، مما يتيح إمكانية تطبيق واسعة في صناعات أشباه الموصلات والبصريات الإلكترونية:
1. توافق الرقاقة الكبيرة: يضمن حجم الرقاقة من 6 إلى 8 بوصات التكامل السلس مع خطوط تصنيع أشباه الموصلات الحالية (على سبيل المثال، عمليات CMOS)، مما يقلل من تكاليف الإنتاج ويمكّن الإنتاج الضخم.
2. جودة بلورية عالية: تضمن تقنيات الربط أو الترابط المحسّنة كثافة عيب منخفضة في الفيلم الرقيق LN، مما يجعله مثاليًا للمعدلات البصرية عالية الأداء ومرشحات الموجة الصوتية السطحية (SAW) وغيرها من الأجهزة الدقيقة.
3. سمك قابل للتعديل (0.3–50 ميكرومتر): طبقات LN فائقة الرقة (<1 ميكرومتر) مناسبة للرقائق الفوتونية المتكاملة، بينما تدعم الطبقات الأكثر سمكًا (10–50 ميكرومتر) أجهزة RF عالية الطاقة أو أجهزة الاستشعار الكهرضغطية.
4. خيارات الركيزة المتعددة: بالإضافة إلى Si، يمكن اختيار SiC (الموصلية الحرارية العالية) أو الياقوت (العزل العالي) كمواد أساسية لتلبية متطلبات التطبيقات عالية التردد أو عالية الحرارة أو عالية الطاقة.
5. الاستقرار الحراري والميكانيكي: توفر ركيزة السيليكون دعمًا ميكانيكيًا قويًا، مما يقلل من الانحناء أو التشقق أثناء المعالجة ويحسن إنتاجية الجهاز.
وتضع هذه السمات الركيزة المركبة LN-on-Si التي يبلغ حجمها من 6 إلى 8 بوصات في موضع المادة المفضلة للتقنيات المتطورة مثل اتصالات 5G، وLiDAR، والبصريات الكمومية.
التطبيقات الرئيسية
يتم اعتماد الركيزة المركبة LN-on-Si مقاس 6 إلى 8 بوصات على نطاق واسع في الصناعات عالية التقنية نظرًا لخصائصها الكهروضوئية والضغطية والصوتية الاستثنائية:
1. الاتصالات البصرية والفوتونيات المتكاملة: تمكين المعدلات الكهروضوئية عالية السرعة، والموجهات الموجية، والدوائر المتكاملة الفوتونية (PICs)، ومعالجة متطلبات النطاق الترددي لمراكز البيانات وشبكات الألياف الضوئية.
أجهزة RF 2.5G/6G: يجعل معامل الضغط الكهربائي العالي لـ LN مثاليًا لمرشحات الموجات الصوتية السطحية (SAW) والموجات الصوتية السائبة (BAW)، مما يعزز معالجة الإشارة في محطات القاعدة 5G والأجهزة المحمولة.
3. الأنظمة الكهروميكانيكية الصغرى وأجهزة الاستشعار: يسهل التأثير الكهرضغطي لـ LN-on-Si تصنيع أجهزة قياس التسارع عالية الحساسية وأجهزة الاستشعار الحيوية ومحولات الموجات فوق الصوتية للتطبيقات الطبية والصناعية.
4. تقنيات الكم: باعتبارها مادة بصرية غير خطية، تُستخدم الأغشية الرقيقة من النانومتر في مصادر الضوء الكمومي (على سبيل المثال، أزواج الفوتونات المتشابكة) والرقائق الكمومية المتكاملة.
5. الليزر والبصريات غير الخطية: تتيح طبقات LN فائقة الرقة إنشاء أجهزة فعالة لتوليد التوافقيات الثانية (SHG) والتذبذب البصري البارامتري (OPO) لمعالجة الليزر والتحليل الطيفي.
تسمح الركيزة المركبة القياسية LN-on-Si مقاس 6 إلى 8 بوصات بتصنيع هذه الأجهزة في مصانع رقائق واسعة النطاق، مما يقلل بشكل كبير من تكاليف الإنتاج.
التخصيص والخدمات
نحن نقدم الدعم الفني الشامل وخدمات التخصيص للركيزة المركبة LN-on-Si مقاس 6 إلى 8 بوصات لتلبية احتياجات البحث والتطوير والإنتاج المتنوعة:
1. التصنيع المخصص: يمكن تصميم سمك فيلم LN (0.3–50 ميكرومتر)، واتجاه البلورة (قطع X/قطع Y)، ومادة الركيزة (Si/SiC/الياقوت) لتحسين أداء الجهاز.
2. معالجة مستوى الرقاقة: توريد كميات كبيرة من الرقاقات مقاس 6 و8 بوصات، بما في ذلك الخدمات الخلفية مثل التقطيع والتلميع والطلاء، لضمان جاهزية المواد الخام للتكامل مع الجهاز.
3. الاستشارة الفنية والاختبار: تحديد خصائص المواد (على سبيل المثال، XRD، AFM)، واختبار الأداء الكهروضوئي، ودعم محاكاة الجهاز لتسريع التحقق من صحة التصميم.
مهمتنا هي إنشاء ركيزة مركبة من LN-on-Si مقاس 6 إلى 8 بوصات كحل مادة أساسية للتطبيقات البصرية الإلكترونية وأشباه الموصلات، وتقديم الدعم الشامل من البحث والتطوير إلى الإنتاج الضخم.
خاتمة
تُسهم ركيزة LN-on-Si المركبة، التي تتراوح أطوالها بين 6 و8 بوصات، بحجم رقاقتها الكبير وجودة موادها الفائقة وتعدد استخداماتها، في دفع عجلة التقدم في مجال الاتصالات البصرية، وترددات الراديو 5G، وتقنيات الكم. سواءً للتصنيع بكميات كبيرة أو للحلول المُخصصة، نُقدم ركائز موثوقة وخدمات مُتكاملة لتعزيز الابتكار التكنولوجي.
