ركائز كربيد السيليكون بقطر 3 بوصات (76.2 مم) من نوع HPSI Prime Research و Dummy grade

الركيزة الموصلة: تشير إلى مقاومة ركيزة كربيد السيليكون التي تتراوح بين 15 و30 ملي أوم-سم. يمكن تصنيع رقائق كربيد السيليكون المترسبة على ركيزة كربيد السيليكون الموصلة إلى أجهزة طاقة، والتي تُستخدم على نطاق واسع في مركبات الطاقة الجديدة، والخلايا الكهروضوئية، والشبكات الذكية، والنقل بالسكك الحديدية.

يشير مصطلح الركيزة شبه العازلة إلى ركيزة كربيد السيليكون ذات المقاومة الأعلى من 100000 أوم-سم، والتي تستخدم بشكل أساسي في تصنيع أجهزة الترددات الراديوية للميكروويف المصنوعة من نتريد الغاليوم، وهي أساس مجال الاتصالات اللاسلكية.

وهو عنصر أساسي في مجال الاتصالات اللاسلكية.

تُستخدم ركائز كربيد السيليكون الموصلة وشبه العازلة في مجموعة واسعة من الأجهزة الإلكترونية وأجهزة الطاقة، بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصر ما يلي:

أجهزة أشباه الموصلات عالية الطاقة (الموصلة): تتميز ركائز كربيد السيليكون بقوة مجال انهيار عالية وموصلية حرارية عالية، وهي مناسبة لإنتاج ترانزستورات الطاقة العالية والثنائيات وغيرها من الأجهزة.

الأجهزة الإلكترونية RF (شبه المعزولة): تتميز ركائز كربيد السيليكون بسرعة تبديل عالية وتحمل طاقة عالٍ، وهي مناسبة لتطبيقات مثل مكبرات طاقة RF وأجهزة الميكروويف ومفاتيح التردد العالي.

الأجهزة الكهروضوئية (شبه المعزولة): تتميز ركائز كربيد السيليكون بفجوة طاقة واسعة واستقرار حراري عالٍ، مما يجعلها مناسبة لصنع الثنائيات الضوئية والخلايا الشمسية وثنائيات الليزر وغيرها من الأجهزة.

أجهزة استشعار درجة الحرارة (الموصلة): تتميز ركائز كربيد السيليكون بموصلية حرارية عالية واستقرار حراري، مما يجعلها مناسبة لإنتاج أجهزة استشعار درجة الحرارة العالية وأجهزة قياس درجة الحرارة.

تتمتع عملية إنتاج وتطبيق ركائز كربيد السيليكون الموصلة وشبه العازلة بمجموعة واسعة من المجالات والإمكانيات، مما يوفر إمكانيات جديدة لتطوير الأجهزة الإلكترونية وأجهزة الطاقة.