ركائز SiC مقاس 3 بوصة Dia76.2mm من HPSI Prime Research والصف الدمي

الركيزة الموصلة: تشير إلى مقاومة الركيزة من كربيد السيليكون 15 ~ 30mΩ-cm. يمكن تحويل الرقاقة الفوقية من كربيد السيليكون المزروعة من ركيزة كربيد السيليكون الموصلة إلى أجهزة طاقة، والتي تستخدم على نطاق واسع في مركبات الطاقة الجديدة، والخلايا الكهروضوئية، والشبكات الذكية، والنقل بالسكك الحديدية.

تشير الركيزة شبه العازلة إلى مقاومة أعلى من 100000Ω-cm من ركيزة كربيد السيليكون، وتستخدم بشكل رئيسي في تصنيع أجهزة الترددات الراديوية بالموجات الدقيقة من نيتريد الغاليوم، وهي أساس مجال الاتصالات اللاسلكية.

وهو عنصر أساسي في مجال الاتصالات اللاسلكية.

تُستخدم ركائز كربيد السيليكون الموصلة وشبه العازلة في مجموعة واسعة من الأجهزة الإلكترونية وأجهزة الطاقة، بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصر ما يلي:

أجهزة أشباه الموصلات عالية الطاقة (موصلة): تتمتع ركائز كربيد السيليكون بقوة مجال انهيار عالية وموصلية حرارية عالية، وهي مناسبة لإنتاج الترانزستورات والثنائيات عالية الطاقة وغيرها من الأجهزة.

الأجهزة الإلكترونية للترددات اللاسلكية (شبه المعزولة): تتمتع ركائز كربيد السيليكون بسرعة تحويل عالية وتحمل للطاقة، ومناسبة لتطبيقات مثل مضخمات طاقة الترددات اللاسلكية وأجهزة الميكروويف والمفاتيح عالية التردد.

الأجهزة الإلكترونية الضوئية (شبه المعزولة): تتمتع ركائز كربيد السيليكون بفجوة طاقة واسعة وثبات حراري عالي، وهي مناسبة لصنع الثنائيات الضوئية والخلايا الشمسية وثنائيات الليزر وغيرها من الأجهزة.

أجهزة استشعار درجة الحرارة (موصلة): تتميز ركائز كربيد السيليكون بموصلية حرارية عالية وثبات حراري، وهي مناسبة لإنتاج أجهزة استشعار درجات الحرارة العالية وأدوات قياس درجة الحرارة.

تشتمل عملية إنتاج وتطبيق ركائز كربيد السيليكون الموصلة وشبه العازلة على مجموعة واسعة من المجالات والإمكانات، مما يوفر إمكانيات جديدة لتطوير الأجهزة الإلكترونية وأجهزة الطاقة.