رقائق إنديوم أنتيمونيد (InSb) من النوع N، نوع P، جاهزة للإيبو، غير مشبعة، مشبعة بالتيلوريد أو مشبعة بالجرمانيوم، سمك 2 بوصة، 3 بوصة، 4 بوصة. رقائق إنديوم أنتيمونيد (InSb) من النوع N، مشبعة بالتيلوريد أو مشبعة بالجرمانيوم

رقائق إنديوم أنتيمونيد (InSb) من النوع N، نوع P، جاهزة للإيبو، غير مشوبة، مشوبة بالتيلوريد أو مشوبة بالجرمانيوم، سمك 2 بوصة، 3 بوصة، 4 بوصة، صورة مميزة لرقائق إنديوم أنتيمونيد (InSb)

وصف مختصر:

رقائق إنديوم أنتيمونيد (InSb) مُكوّن أساسي في التطبيقات الإلكترونية والبصرية عالية الأداء. تتوفر هذه الرقائق بأنواع مُختلفة، منها النوع N، والنوع P، وغير المُشابة، ويمكن إشابتها بعناصر مثل التيلوريوم (Te) أو الجرمانيوم (Ge). تُستخدم رقائق إنديوم أنتيمونيد (InSb) على نطاق واسع في الكشف بالأشعة تحت الحمراء، والترانزستورات عالية السرعة، وأجهزة الآبار الكمومية، وغيرها من التطبيقات المُتخصصة، نظرًا لحركيتها الإلكترونية الممتازة وفجوة نطاقها الضيقة. تتوفر الرقائق بأقطار مُختلفة، مثل بوصتين، و3 بوصات، و4 بوصات، مع تحكم دقيق في السُمك وأسطح مصقولة/محفورة عالية الجودة.

أرسل لنا بريدًا إلكترونيًا

سمات

خيارات المنشطات:
1.غير مخدر:هذه الرقائق خالية من أي عوامل مسببة للتشوهات، مما يجعلها مثالية للتطبيقات المتخصصة مثل النمو الطبقي.
2.Te المخدر (النوع N):يتم استخدام التطعيم بالتيلوريوم (Te) بشكل شائع لإنشاء رقائق من النوع N، وهي مثالية للتطبيقات مثل أجهزة الكشف عن الأشعة تحت الحمراء والإلكترونيات عالية السرعة.
3.مُشَبَّع بالجرمانيوم (نوع P):يتم استخدام التطعيم بالجرمانيوم (Ge) لإنشاء رقائق من النوع P، مما يوفر قدرة عالية على الحركة للثقوب لتطبيقات أشباه الموصلات المتقدمة.

خيارات الحجم:
١. متوفرة بأقطار ٢، ٣، و٤ بوصات. تلبي هذه الرقائق احتياجات تكنولوجية متنوعة، من البحث والتطوير إلى التصنيع واسع النطاق.
2. تضمن تحمّلات القطر الدقيقة الاتساق عبر الدفعات، بأقطار 50.8±0.3 مم (لرقائق 2 بوصة) و76.2±0.3 مم (لرقائق 3 بوصة).

التحكم في السُمك:
1.تتوفر الرقائق بسمك 500±5μm للحصول على الأداء الأمثل في التطبيقات المختلفة.
2. يتم التحكم في القياسات الإضافية مثل TTV (التباين الكلي في السُمك)، وBOW، وWarp بعناية لضمان التوحيد والجودة العالية.

جودة السطح:
1. تأتي الرقائق مع سطح مصقول/محفور لتحسين الأداء البصري والكهربائي.
2. تعتبر هذه الأسطح مثالية للنمو الطبقي، حيث توفر قاعدة ناعمة لمزيد من المعالجة في الأجهزة عالية الأداء.

جاهز للاستخدام:
1. رقائق InSb جاهزة للترسيب الطبقي، أي أنها مُعالَجة مسبقًا لعمليات الترسيب الطبقي. هذا يجعلها مثالية لتطبيقات تصنيع أشباه الموصلات حيث يلزم نمو طبقات طبقية فوق الرقاقة.

التطبيقات

1. أجهزة الكشف بالأشعة تحت الحمراء:تُستخدم رقائق InSb بشكل شائع في الكشف بالأشعة تحت الحمراء (IR)، وخاصةً في نطاق الأشعة تحت الحمراء متوسطة الطول الموجي (MWIR). تُعد هذه الرقائق أساسية لتطبيقات الرؤية الليلية، والتصوير الحراري، والتحليل الطيفي بالأشعة تحت الحمراء.

2. الإلكترونيات عالية السرعة:بفضل قدرتها العالية على الحركة الإلكترونية، تُستخدم رقائق InSb في الأجهزة الإلكترونية عالية السرعة مثل الترانزستورات عالية التردد، وأجهزة الآبار الكمومية، والترانزستورات عالية الحركة الإلكترونية (HEMTs).

3. أجهزة الآبار الكمومية:تجعل فجوة النطاق الضيقة وحركة الإلكترونات الممتازة رقائق InSb مناسبة للاستخدام في أجهزة الآبار الكمومية. تُعد هذه الأجهزة مكونات أساسية في أجهزة الليزر، والكاشفات، وغيرها من الأنظمة الإلكترونية البصرية.

4. الأجهزة الدورانية:يُستكشف InSb أيضًا في تطبيقات الإلكترونيات الدورانية، حيث يُستخدم دوران الإلكترون لمعالجة المعلومات. يجعل اقتران الدوران المنخفض للمادة مثاليًا لهذه الأجهزة عالية الأداء.

5. تطبيقات إشعاع تيراهرتز (THz):تُستخدم الأجهزة القائمة على InSb في تطبيقات الإشعاع بتردد تيراهيرتز، بما في ذلك البحث العلمي والتصوير وتوصيف المواد. وهي تُمكّن من تقنيات متقدمة مثل التحليل الطيفي بتردد تيراهيرتز وأنظمة التصوير بتردد تيراهيرتز.

6. الأجهزة الحرارية الكهربائية:إن الخصائص الفريدة لـ InSb تجعله مادة جذابة للتطبيقات الحرارية الكهربائية، حيث يمكن استخدامه لتحويل الحرارة إلى كهرباء بكفاءة، وخاصة في التطبيقات المتخصصة مثل تكنولوجيا الفضاء أو توليد الطاقة في البيئات القاسية.

معلمات المنتج

المعلمة	2 بوصة	3 بوصات	4 بوصات
القطر	50.8±0.3 مم	76.2±0.3 مم	-
سماكة	500±5 ميكرومتر	650±5 ميكرومتر	-
سطح	مصقول/محفور	مصقول/محفور	مصقول/محفور
نوع المنشطات	غير مشبع، مشبع بالتيلوريد (N)، مشبع بالجرمانيوم (P)	غير مشبع، مشبع بالتيلوريد (N)، مشبع بالجرمانيوم (P)	غير مشبع، مشبع بالتيلوريد (N)، مشبع بالجرمانيوم (P)
توجيه	(100)	(100)	(100)
طَرد	أعزب	أعزب	أعزب
جاهز للاستخدام	نعم	نعم	نعم

المعلمات الكهربائية للتيلوريد المشبع (النوع N):

التنقل: 2000-5000 سم²/فولت·ثانية
المقاومة: (1-1000) Ω·سم
كثافة العيوب (EPD): ≤2000 عيب/سم²

المعلمات الكهربائية للجرثومة المخدرة (نوع P):

التنقل: 4000-8000 سم²/فولت·ثانية
المقاومة: (0.5-5) Ω·سم
كثافة العيوب (EPD): ≤2000 عيب/سم²

خاتمة

رقائق إنديوم أنتيمونيد (InSb) مادة أساسية لمجموعة واسعة من التطبيقات عالية الأداء في مجالات الإلكترونيات، والإلكترونيات البصرية، وتقنيات الأشعة تحت الحمراء. بفضل حركيتها الممتازة للإلكترونات، وانخفاض اقترانها المداري المغزلي، وخيارات التطعيم المتنوعة (Te للنوع N، وGe للنوع P)، تُعد رقائق InSb مثالية للاستخدام في أجهزة مثل كواشف الأشعة تحت الحمراء، والترانزستورات عالية السرعة، وأجهزة الآبار الكمومية، وأجهزة الإلكترونيات الدورانية.

تتوفر هذه الرقاقات بأحجام متنوعة (بوصتين، 3 بوصات، و4 بوصات)، مع تحكم دقيق في السُمك وأسطح جاهزة للاختبار، مما يضمن تلبيتها للمتطلبات الصارمة لتصنيع أشباه الموصلات الحديثة. تُعد هذه الرقاقات مثالية لتطبيقات في مجالات مثل الكشف بالأشعة تحت الحمراء، والإلكترونيات عالية السرعة، وإشعاعات تيرا هرتز، مما يُتيح تقنيات متقدمة في مجالات البحث والصناعة والدفاع.