عازل رقاقة SOI على رقائق SOI (سيليكون على عازل) من السيليكون مقاس 8 و6 بوصات

تتكون رقاقة SOI ثلاثية الطبقات من طبقة سيليكون علوية، وطبقة أكسيد عازلة، وركيزة سيليكون سفلية، مما يوفر مزايا لا مثيل لها في مجال الإلكترونيات الدقيقة ومجالات الترددات الراديوية. تُسهّل طبقة السيليكون العلوية، المصنوعة من السيليكون البلوري عالي الجودة، دمج المكونات الإلكترونية المعقدة بدقة وكفاءة. أما طبقة الأكسيد العازلة، المصممة بدقة لتقليل السعة الطفيلية، فتُحسّن أداء الجهاز من خلال الحد من التداخل الكهربائي غير المرغوب فيه. توفر ركيزة السيليكون السفلية دعمًا ميكانيكيًا وتضمن التوافق مع تقنيات معالجة السيليكون الحالية.

في مجال الإلكترونيات الدقيقة، تُشكّل رقاقة SOI أساسًا لتصنيع الدوائر المتكاملة (ICs) المتقدمة ذات السرعة الفائقة وكفاءة الطاقة والموثوقية العالية. يُمكّن هيكلها ثلاثي الطبقات من تطوير أجهزة أشباه الموصلات المعقدة، مثل الدوائر المتكاملة CMOS (أشباه الموصلات المعدنية المكملة)، والأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة (MEMS)، وأجهزة الطاقة.

في مجال الترددات الراديوية (RF)، تُظهر رقاقة SOI أداءً متميزًا في تصميم وتنفيذ أجهزة وأنظمة الترددات الراديوية. سعتها الطفيلية المنخفضة، وجهد انهيارها العالي، وخصائص عزلها الممتازة تجعلها ركيزة مثالية لمفاتيح الترددات الراديوية، ومضخماتها، ومرشحاتها، ومكوناتها الأخرى. إضافةً إلى ذلك، فإن قدرة رقاقة SOI على تحمل الإشعاع تجعلها مناسبةً لتطبيقات الطيران والدفاع حيث تكون الموثوقية في البيئات القاسية أمرًا بالغ الأهمية.

وعلاوة على ذلك، فإن تنوع رقاقة SOI يمتد إلى التقنيات الناشئة مثل الدوائر المتكاملة الفوتونية (PICs)، حيث يعد دمج المكونات البصرية والإلكترونية على ركيزة واحدة أمرًا واعدًا لأنظمة الاتصالات السلكية واللاسلكية واتصالات البيانات من الجيل التالي.

باختصار، تُعدّ رقاقة السيليكون على العازل (SOI) ثلاثية الطبقات رائدةً في مجال الابتكار في مجال الإلكترونيات الدقيقة وتطبيقات الترددات الراديوية. فبنيتها الفريدة وخصائص أدائها الاستثنائية تُمهّد الطريق للتطورات في مختلف الصناعات، مما يُسهم في دفع عجلة التقدم ويُشكّل مستقبل التكنولوجيا.