رقائق SiC مقاس 4 بوصة 6H ركائز شبه عازلة من SiC، درجة أولى وبحثية ودمية
مواصفات المنتج
| درجة | درجة إنتاج MPD صفر (درجة Z) | درجة الإنتاج القياسية (الصف P) | الصف الوهمي (الصف D) | ||||||||
| قطر الدائرة | 99.5 ملم ~ 100.0 ملم | ||||||||||
| 4H-SI | 500 ميكرومتر ± 20 ميكرومتر | 500 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر | |||||||||
| اتجاه الرقاقة |
خارج المحور: 4.0 درجة باتجاه <1120 > ±0.5 درجة لـ 4H-N، على المحور: <0001> ±0.5 درجة لـ 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | 1 سم-2 | ≥5 سم-2 | ≥15 سم-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 أوم·سم | ≥1E5 Ω·سم | |||||||||
| التوجه المسطح الأساسي | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| الطول المسطح الأساسي | 32.5 ملم ± 2.0 ملم | ||||||||||
| الطول المسطح الثانوي | 18.0 ملم ± 2.0 ملم | ||||||||||
| التوجه المسطح الثانوي | وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية.من Prime flat ±5.0° | ||||||||||
| استبعاد الحافة | 3 ملم | ||||||||||
| LTV/TTV/القوس/الاعوجاج | ≥3 ميكرومتر / ≥5 ميكرومتر / ≥15 ميكرومتر / ≥30 ميكرومتر | ≥10 ميكرومتر / ≥15 ميكرومتر / ≥25 ميكرومتر / ≥40 ميكرومتر | |||||||||
| خشونة | وجه ج | تلميع | را 1 نانومتر | ||||||||
| وجه سي | CMP | Ra<0.2 نانومتر | Ra<0.5 نانومتر | ||||||||
| شقوق الحواف بواسطة ضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≥ 10 مم، فردي الطول ≥2 مم | |||||||||
| لوحات سداسية بواسطة ضوء عالي الكثافة | المساحة التراكمية .050.05% | المساحة التراكمية .10.1% | |||||||||
| مناطق Polytype بواسطة ضوء عالي الكثافة | لا أحد | المساحة التراكمية ≥3% | |||||||||
| ادراج الكربون المرئي | المساحة التراكمية .050.05% | المساحة التراكمية ≥3% | |||||||||
| خدوش سطح السيليكون بواسطة ضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≥1＊ قطر الرقاقة | |||||||||
| رقائق الحافة عالية بواسطة ضوء الشدة | لا شيء مسموح به بعرض وعمق ≥0.2 مم | 5 مسموح بها، 1 مم لكل منها | |||||||||
| تلوث سطح السيليكون بكثافة عالية | لا أحد | ||||||||||
| التعبئة والتغليف | علبة بسكويت الويفر المتعددة أو حاوية الويفر المفردة | ||||||||||
مخطط تفصيلي
اكتب رسالتك هنا وأرسلها لنا
