4H/6H-P 6 بوصة رقاقة SiC درجة صفر MPD درجة الإنتاج درجة الدمية
4H/6H-P نوع SiC الركائز المركبة جدول المعلمات المشتركة
6 بوصة قطرها كربيد السيليكون (SiC) الركيزة مواصفة
| درجة | إنتاج صفر MPDالصف (ز درجة) | الإنتاج القياسيالصف (ف درجة) | الصف الوهمي (D درجة) | ||
| القطر | 145.5 ملم ~ 150.0 ملم | ||||
| سماكة | 350 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر | ||||
| اتجاه الرقاقة | -Offالمحور: 2.0°-4.0° باتجاه [1120] ± 0.5° لـ 4H/6H-P، على المحور: 〈111〉± 0.5° لـ 3C-N | ||||
| كثافة الأنابيب الدقيقة | 0 سم-2 | ||||
| المقاومة | ف-نوع 4H/6H-P | .10.1 أوم.سم | .30.3 أوم.سم | ||
| ن-نوع 3C-N | ≥0.8 مΩꞏسم | ≥1 م Ωꞏسم | |||
| التوجه المسطح الأساسي | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| الطول المسطح الأساسي | 32.5 ملم ± 2.0 ملم | ||||
| الطول المسطح الثانوي | 18.0 ملم ± 2.0 ملم | ||||
| التوجه المسطح الثانوي | وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية. من Prime flat ± 5.0° | ||||
| استبعاد الحافة | 3 ملم | 6 ملم | |||
| LTV/TTV/القوس/الاعوجاج | .52.5 ميكرومتر/55 ميكرومتر/15 ميكرومتر/30 ميكرومتر | ≥10 ميكرومتر / ≥15 ميكرومتر / ≥25 ميكرومتر / ≥40 ميكرومتر | |||
| خشونة | البولندية Ra 1 نانومتر | ||||
| CMP Ra ≥0.2 نانومتر | Ra<0.5 نانومتر | ||||
| شقوق الحواف بواسطة ضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≥ 10 مم، الطول المفرد ≥2 مم | |||
| لوحات سداسية بواسطة ضوء عالي الكثافة | المساحة التراكمية .050.05% | المساحة التراكمية .10.1% | |||
| مناطق Polytype بواسطة ضوء عالي الكثافة | لا أحد | المساحة التراكمية ≥3% | |||
| ادراج الكربون المرئي | المساحة التراكمية .050.05% | المساحة التراكمية ≥3% | |||
| خدوش سطح السيليكون بواسطة ضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≥1 × قطر الرقاقة | |||
| رقائق الحافة عالية بواسطة ضوء الشدة | لا شيء مسموح به بعرض وعمق ≥0.2 مم | 5 مسموح بها، 1 مم لكل منها | |||
| تلوث سطح السيليكون بكثافة عالية | لا أحد | ||||
| التعبئة والتغليف | علبة بسكويت الويفر المتعددة أو حاوية الويفر المفردة | ||||
ملحوظات:
※ تنطبق حدود العيوب على سطح الرقاقة بأكمله باستثناء منطقة استبعاد الحافة. # يجب فحص الخدوش على وجه Si o
يتم استخدام رقاقة SiC مقاس 6 بوصة من النوع 4H/6H-P مع درجة MPD الصفرية والإنتاج أو الدرجة الوهمية على نطاق واسع في التطبيقات الإلكترونية المتقدمة. إن موصليتها الحرارية الممتازة، وجهد الانهيار العالي، ومقاومتها للبيئات القاسية تجعلها مثالية لإلكترونيات الطاقة، مثل مفاتيح الجهد العالي والمحولات. تضمن درجة Zero MPD الحد الأدنى من العيوب، وهو أمر بالغ الأهمية للأجهزة عالية الموثوقية. تُستخدم الرقائق المخصصة للإنتاج في التصنيع على نطاق واسع لأجهزة الطاقة وتطبيقات الترددات اللاسلكية، حيث يكون الأداء والدقة أمرًا بالغ الأهمية. من ناحية أخرى، يتم استخدام الرقائق الوهمية لمعايرة العمليات واختبار المعدات والنماذج الأولية، مما يتيح مراقبة الجودة بشكل متسق في بيئات إنتاج أشباه الموصلات.
تشمل مزايا الركائز المركبة من النوع N SiC
- الموصلية الحرارية العالية: تعمل رقاقة SiC 4H/6H-P على تبديد الحرارة بكفاءة، مما يجعلها مناسبة للتطبيقات الإلكترونية ذات درجة الحرارة العالية والطاقة العالية.
- ارتفاع الجهد انهيار: إن قدرته على التعامل مع الفولتية العالية دون فشل يجعلها مثالية لإلكترونيات الطاقة وتطبيقات التبديل ذات الجهد العالي.
- درجة صفر MPD (عيب الأنبوب الصغير).: يضمن الحد الأدنى من كثافة العيوب موثوقية وأداء أعلى، وهو أمر بالغ الأهمية للأجهزة الإلكترونية كثيرة المتطلبات.
- درجة الإنتاج للتصنيع الضخم: مناسب للإنتاج على نطاق واسع لأجهزة أشباه الموصلات عالية الأداء بمعايير الجودة الصارمة.
- درجة وهمية للاختبار والمعايرة: يتيح تحسين العمليات واختبار المعدات والنماذج الأولية دون استخدام رقائق عالية التكلفة من فئة الإنتاج.
بشكل عام، توفر رقائق SiC مقاس 6 بوصات/4H/6H-P بدرجة صفر MPD ودرجة الإنتاج والدرجة الوهمية مزايا كبيرة لتطوير الأجهزة الإلكترونية عالية الأداء. تعتبر هذه الرقائق مفيدة بشكل خاص في التطبيقات التي تتطلب تشغيلًا بدرجة حرارة عالية وكثافة طاقة عالية وتحويلًا فعالاً للطاقة. تضمن درجة Zero MPD الحد الأدنى من العيوب للحصول على أداء موثوق ومستقر للجهاز، بينما تدعم الرقائق المخصصة للإنتاج التصنيع على نطاق واسع مع ضوابط صارمة للجودة. توفر الرقائق الوهمية حلاً فعالاً من حيث التكلفة لتحسين العمليات ومعايرة المعدات، مما يجعلها لا غنى عنها لتصنيع أشباه الموصلات عالية الدقة.
مخطط تفصيلي
