رقاقة SiC مقاس 6 بوصات 4H/6H-P درجة إنتاج صفر MPD درجة وهمية
جدول المعلمات المشتركة للركائز المركبة SiC من النوع 4H/6H-P
6 ركيزة كربيد السيليكون (SiC) بقطر بوصة مواصفة
| درجة | إنتاج صفر MPDالصف (ز درجة) | الإنتاج القياسيالصف (P درجة) | درجة وهمية (D درجة) | ||
| القطر | 145.5 مم~150.0 مم | ||||
| سماكة | 350 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر | ||||
| اتجاه الرقاقة | -Offالمحور: 2.0°-4.0° باتجاه [1120] ± 0.5° لـ 4H/6H-P، على المحور:〈111〉± 0.5° لـ 3C-N | ||||
| كثافة الأنابيب الدقيقة | 0 سم-2 | ||||
| المقاومة | نوع p 4H/6H-P | ≤0.1 أوم/سم | ≤0.3 أوم/سم | ||
| نوع n 3C-N | ≤0.8 مΩꞏسم | ≤1 م أوم/سم | |||
| التوجه المسطح الأساسي | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0 درجة | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0 درجة | ||||
| طول المسطح الأساسي | 32.5 مم ± 2.0 مم | ||||
| طول مسطح ثانوي | 18.0 مم ± 2.0 مم | ||||
| الاتجاه المسطح الثانوي | وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة مئوية. من السطح الرئيسي المسطح ± 5.0 درجة | ||||
| استبعاد الحافة | 3 مم | 6 ملم | |||
| قيمة العمر الافتراضي/قيمة العمر الافتراضي/القوس/الالتواء | .52.5 ميكرومتر/55 ميكرومتر/15 ميكرومتر/30 ميكرومتر | ≥10 ميكرومتر / ≥15 ميكرومتر / ≥25 ميكرومتر / ≥40 ميكرومتر | |||
| خشونة | البولندية Ra ≤1 نانومتر | ||||
| CMP Ra≤0.2 نانومتر | Ra≤0.5 نانومتر | ||||
| شقوق الحواف بسبب الضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≤ 10 مم، الطول الفردي ≤ 2 مم | |||
| ألواح سداسية بضوء عالي الكثافة | المساحة التراكمية ≤0.05% | المساحة التراكمية ≤0.1% | |||
| مناطق متعددة الأنواع باستخدام ضوء عالي الكثافة | لا أحد | المساحة التراكمية ≤3% | |||
| شوائب الكربون المرئية | المساحة التراكمية ≤0.05% | المساحة التراكمية ≤3% | |||
| خدوش سطح السيليكون بسبب الضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≤1×قطر الرقاقة | |||
| شظايا الحافة عالية الكثافة بسبب الضوء | لا يُسمح بأي عرض أو عمق ≥0.2 مم | 5 مسموح بها، ≤1 مم لكل منها | |||
| تلوث سطح السيليكون بالكثافة العالية | لا أحد | ||||
| التعبئة والتغليف | كاسيت متعدد الرقائق أو حاوية رقاقة واحدة | ||||
ملحوظات:
※ تنطبق حدود العيوب على كامل سطح الرقاقة باستثناء منطقة استبعاد الحافة. # يجب فحص الخدوش على وجه السيليكون
رقاقة SiC مقاس 6 بوصات من نوع 4H/6H-P، بدرجة Zero MPD، ودرجة إنتاج أو درجة وهمية، تُستخدم على نطاق واسع في التطبيقات الإلكترونية المتقدمة. موصليتها الحرارية الممتازة، وجهد انهيارها العالي، ومقاومتها للبيئات القاسية تجعلها مثالية لإلكترونيات الطاقة، مثل مفاتيح الجهد العالي والعاكسات. تضمن درجة Zero MPD الحد الأدنى من العيوب، وهو أمر بالغ الأهمية للأجهزة عالية الموثوقية. تُستخدم الرقاقات الإنتاجية في التصنيع واسع النطاق لأجهزة الطاقة وتطبيقات الترددات الراديوية، حيث يكون الأداء والدقة بالغي الأهمية. من ناحية أخرى، تُستخدم الرقاقات غير الإنتاجية لمعايرة العمليات، واختبار المعدات، والنماذج الأولية، مما يتيح مراقبة الجودة بشكل متسق في بيئات إنتاج أشباه الموصلات.
تشمل مزايا ركائز SiC المركبة من النوع N ما يلي:
- الموصلية الحرارية العالية:تعمل رقاقة SiC 4H/6H-P على تبديد الحرارة بكفاءة، مما يجعلها مناسبة للتطبيقات الإلكترونية عالية الحرارة وعالية الطاقة.
- جهد انهيار عالي:قدرتها على التعامل مع الجهد العالي دون فشل تجعلها مثالية لتطبيقات الإلكترونيات القوية والتبديل عالي الجهد.
- درجة صفر MPD (عيب الأنبوب الدقيق):تضمن كثافة العيوب الدنيا مستوى أعلى من الموثوقية والأداء، وهو أمر بالغ الأهمية للأجهزة الإلكترونية المتطلبة.
- درجة الإنتاج للتصنيع الضخم:مناسبة لإنتاج أجهزة أشباه الموصلات عالية الأداء على نطاق واسع مع معايير الجودة الصارمة.
- درجة وهمية للاختبار والمعايرة:يتيح تحسين العمليات واختبار المعدات والنماذج الأولية دون استخدام رقائق الإنتاج عالية التكلفة.
بشكل عام، تُقدم رقائق SiC مقاس 6 بوصات من 4H/6H-P، بدرجات Zero MPD، وProduction، وDummy، مزايا كبيرة لتطوير الأجهزة الإلكترونية عالية الأداء. تُعدّ هذه الرقائق مفيدة بشكل خاص في التطبيقات التي تتطلب تشغيلًا في درجات حرارة عالية، وكثافة طاقة عالية، وتحويلًا فعالًا للطاقة. تضمن درجة Zero MPD الحد الأدنى من العيوب لأداء موثوق ومستقر للأجهزة، بينما تدعم رقائق الإنتاج التصنيع واسع النطاق مع ضوابط جودة صارمة. تُوفر رقائق Dummy حلاً اقتصاديًا لتحسين العمليات ومعايرة المعدات، مما يجعلها ضرورية لتصنيع أشباه الموصلات عالية الدقة.
مخطط تفصيلي
