رقاقة سيليكون كاربيد من النوع P، 4H/6H-P، 3C-N، بسماكة 350 ميكرومتر، وقطر 6 بوصات، مع اتجاه مسطح أساسي.
المواصفات: ركائز مركبة من كربيد السيليكون من النوع 4H/6H-P، جدول المعلمات المشتركة
6 ركيزة من كربيد السيليكون (SiC) بقطر بوصة مواصفة
| درجة | إنتاج صفري من MPDالدرجة (Z) درجة) | الإنتاج القياسيالدرجة (P) درجة) | مستوى وهمي (D درجة) | ||
| القطر | 145.5 مم ~ 150.0 مم | ||||
| سماكة | 350 ميكرومتر ± 25 ميكرومتر | ||||
| توجيه الرقاقة | -Offالمحور: 2.0°-4.0° باتجاه [1120] ± 0.5° لـ 4H/6H-P، على المحور: 〈111〉 ± 0.5° لـ 3C-N | ||||
| كثافة الأنابيب الدقيقة | 0 سم-2 | ||||
| المقاومة النوعية | النوع p 4H/6H-P | ≤0.1 أوم سم | ≤0.3 أوم سم | ||
| النوع n 3C-N | ≤0.8 ملي أوم سم | ≤1 م أوم سم | |||
| اتجاه الشقق الأساسية | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| الطول الأساسي المسطح | 32.5 مم ± 2.0 مم | ||||
| الطول المسطح الثانوي | 18.0 مم ± 2.0 مم | ||||
| اتجاه الشقة الثانوية | وجه السيليكون لأعلى: 90 درجة باتجاه عقارب الساعة. من السطح المستوي الأساسي ± 5.0 درجة | ||||
| استبعاد الحواف | 3 مم | 6 مم | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | .52.5 ميكرومتر/55 ميكرومتر/15 ميكرومتر/30 ميكرومتر | ≥10 ميكرومتر / ≥15 ميكرومتر / ≥25 ميكرومتر / ≥40 ميكرومتر | |||
| خشونة | صقل Ra≤1 نانومتر | ||||
| CMP Ra≤0.2 نانومتر | Ra≤0.5 نانومتر | ||||
| تشققات الحواف الناتجة عن الضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≤ 10 مم، الطول الفردي ≤ 2 مم | |||
| ألواح سداسية بواسطة ضوء عالي الكثافة | المساحة التراكمية ≤ 0.05% | المساحة التراكمية ≤ 0.1% | |||
| مناطق متعددة الأنماط بواسطة ضوء عالي الكثافة | لا أحد | المساحة التراكمية ≤ 3% | |||
| شوائب الكربون المرئية | المساحة التراكمية ≤ 0.05% | المساحة التراكمية ≤3% | |||
| خدوش سطح السيليكون بفعل الضوء عالي الكثافة | لا أحد | الطول التراكمي ≤ 1 × قطر الرقاقة | |||
| رقائق الحواف عالية الكثافة | لا يُسمح بأي شيء بعرض وعمق ≥ 0.2 مم | يُسمح بخمسة، كل منها ≤ 1 مم | |||
| تلوث سطح السيليكون بفعل الكثافة العالية | لا أحد | ||||
| التغليف | علبة متعددة الرقائق أو حاوية رقاقة واحدة | ||||
ملحوظات:
※ تنطبق حدود العيوب على سطح الرقاقة بالكامل باستثناء منطقة الاستبعاد على الحافة. # يجب فحص الخدوش على وجه السيليكون o
تلعب رقاقة السيليكون كاربيد من النوع P، 4H/6H-P 3C-N، بحجمها البالغ 6 بوصات وسماكتها 350 ميكرومتر، دورًا محوريًا في الإنتاج الصناعي للإلكترونيات عالية الأداء. فموصليتها الحرارية الممتازة وجهد انهيارها العالي يجعلانها مثالية لتصنيع مكونات مثل مفاتيح الطاقة، والثنائيات، والترانزستورات المستخدمة في بيئات ذات درجات حرارة عالية، كالمركبات الكهربائية، وشبكات الطاقة، وأنظمة الطاقة المتجددة. كما تضمن قدرة الرقاقة على العمل بكفاءة في الظروف القاسية أداءً موثوقًا في التطبيقات الصناعية التي تتطلب كثافة طاقة عالية وكفاءة في استهلاك الطاقة. إضافةً إلى ذلك، يُسهم توجيهها المسطح الأساسي في محاذاة دقيقة أثناء تصنيع الأجهزة، مما يُحسّن كفاءة الإنتاج وتناسق المنتج.
تشمل مزايا ركائز السيليكون كاربيد المركبة من النوع N ما يلي:
- موصلية حرارية عالية: تعمل رقائق السيليكون كاربيد من النوع P بكفاءة عالية في تبديد الحرارة، مما يجعلها مثالية للتطبيقات ذات درجات الحرارة العالية.
- جهد انهيار عالي: قادر على تحمل الفولتية العالية، مما يضمن الموثوقية في إلكترونيات الطاقة والأجهزة ذات الفولتية العالية.
- مقاومة البيئات القاسية: متانة ممتازة في الظروف القاسية، مثل درجات الحرارة العالية والبيئات المسببة للتآكل.
- تحويل الطاقة بكفاءة: إن عملية التطعيم من النوع P تسهل التعامل الفعال مع الطاقة، مما يجعل الرقاقة مناسبة لأنظمة تحويل الطاقة.
- اتجاه الشقق الأساسيةيضمن المحاذاة الدقيقة أثناء التصنيع، مما يحسن دقة الجهاز واتساقه.
- بنية رقيقة (350 ميكرومتر): إن السماكة المثلى للرقاقة تدعم دمجها في الأجهزة الإلكترونية المتقدمة ذات المساحة المحدودة.
بشكل عام، توفر رقاقة السيليكون كاربيد من النوع P، 4H/6H-P 3C-N، مجموعة من المزايا التي تجعلها مناسبة للغاية للتطبيقات الصناعية والإلكترونية. فموصليتها الحرارية العالية وجهد انهيارها المرتفع يُمكّنانها من العمل بكفاءة في بيئات ذات درجات حرارة وجهود عالية، بينما تضمن مقاومتها للظروف القاسية متانتها. كما يسمح التطعيم من النوع P بتحويل الطاقة بكفاءة، مما يجعلها مثالية لإلكترونيات الطاقة وأنظمة الطاقة. بالإضافة إلى ذلك، يضمن التوجيه المسطح الأساسي للرقاقة محاذاة دقيقة أثناء عملية التصنيع، مما يُحسّن من اتساق الإنتاج. وبسماكة 350 ميكرومتر، فهي مناسبة تمامًا للدمج في الأجهزة المتقدمة والمدمجة.
رسم تخطيطي مفصل
