في الوقت الحاضر، يمكن لشركتنا الاستمرار في توريد دفعة صغيرة من رقائق SiC من نوع 8 بوصة N، إذا كان لديك احتياجات عينة، فلا تتردد في الاتصال بي.لدينا بعض عينات الرقاقات الجاهزة للشحن.
وفي مجال مواد أشباه الموصلات، حققت الشركة تقدمًا كبيرًا في البحث والتطوير لبلورات SiC كبيرة الحجم.باستخدام بلورات البذور الخاصة بها بعد جولات متعددة من توسيع القطر، نجحت الشركة في تنمية بلورات SiC من النوع N مقاس 8 بوصة، والتي تحل المشكلات الصعبة مثل عدم تساوي درجة الحرارة في المجال، وتكسير البلورات، وتوزيع المواد الخام في مرحلة الغاز في عملية نمو بلورات SIC مقاس 8 بوصات، وتسرع نمو بلورات SIC كبيرة الحجم وتكنولوجيا المعالجة المستقلة والتي يمكن التحكم فيها.تعزيز القدرة التنافسية الأساسية للشركة بشكل كبير في صناعة الركيزة البلورية الفردية SiC.في الوقت نفسه، تعمل الشركة بنشاط على تعزيز تراكم التكنولوجيا وعملية الخط التجريبي لإعداد ركيزة كربيد السيليكون كبيرة الحجم، وتقوي التبادل الفني والتعاون الصناعي في مجالات المنبع والمصب، وتتعاون مع العملاء لتكرار أداء المنتج باستمرار، وبشكل مشترك يعزز وتيرة التطبيق الصناعي لمواد كربيد السيليكون.
| مواصفات 8 بوصة N-type SiC DSP | |||||
| رقم | غرض | وحدة | إنتاج | بحث | غبي |
| 1. المعلمات | |||||
| 1.1 | متعدد الأنواع | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | اتجاه السطح | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. المعلمة الكهربائية | |||||
| 2.1 | منشط | -- | ن نوع النيتروجين | ن نوع النيتروجين | ن نوع النيتروجين |
| 2.2 | المقاومة النوعية | أوم · سم | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
| 3. المعلمة الميكانيكية | |||||
| 3.1 | قطر الدائرة | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | سماكة | ميكرومتر | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | اتجاه الشق | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | عمق الشق | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
| 3.5 | القيمة الدائمة | ميكرومتر | ≥5 (10 مم * 10 مم) | ≥5 (10 مم * 10 مم) | ≥10 (10 مم * 10 مم) |
| 3.6 | تي تي في | ميكرومتر | ≥10 | ≥10 | ≥15 |
| 3.7 | قَوس | ميكرومتر | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | اعوجاج | ميكرومتر | ≥30 | ≥50 | ≥70 |
| 3.9 | AFM | nm | را ≥0.2 | را ≥0.2 | را ≥0.2 |
| 4. الهيكل | |||||
| 4.1 | كثافة الأنابيب الدقيقة | عصام/cm2 | ≥2 | ≥10 | ≥50 |
| 4.2 | المحتوى المعدني | الذرات/سم2 | ≥1E11 | ≥1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | عصام/cm2 | ≥500 | ≥1000 | NA |
| 4.4 | اضطراب الشخصية الحدية | عصام/cm2 | ≥2000 | ≥5000 | NA |
| 4.5 | تيد | عصام/cm2 | ≥7000 | ≥10000 | NA |
| 5. الجودة الإيجابية | |||||
| 5.1 | أمام | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | صقل الأسطح | -- | سي الوجه CMP | سي الوجه CMP | سي الوجه CMP |
| 5.3 | جسيم | عصام / رقاقة | .100 (الحجم ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | يخدش | عصام / رقاقة | ≥5، الطول الإجمالي ≥200 مم | NA | NA |
| 5.5 | حافة رقائق/المسافات البادئة/الشقوق/البقع/التلوث | -- | لا أحد | لا أحد | NA |
| 5.6 | مناطق متعددة الأنواع | -- | لا أحد | المنطقة ≥10% | المساحة ≥30% |
| 5.7 | العلامات الأمامية | -- | لا أحد | لا أحد | لا أحد |
| 6. جودة الظهر | |||||
| 6.1 | النهاية الخلفية | -- | C- الوجه MP | C- الوجه MP | C- الوجه MP |
| 6.2 | يخدش | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | حافة العيوب الخلفية رقائق / المسافات البادئة | -- | لا أحد | لا أحد | NA |
| 6.4 | خشونة الظهر | nm | را 5 | را 5 | را 5 |
| 6.5 | وضع العلامات الخلفية | -- | الشق | الشق | الشق |
| 7. الحافة | |||||
| 7.1 | حافة | -- | الشطب | الشطب | الشطب |
| 8. الحزمة | |||||
| 8.1 | التعبئة والتغليف | -- | برنامج التحصين الموسع جاهز بالشفط التعبئة والتغليف | برنامج التحصين الموسع جاهز بالشفط التعبئة والتغليف | برنامج التحصين الموسع جاهز بالشفط التعبئة والتغليف |
| 8.2 | التعبئة والتغليف | -- | رقاقة متعددة تغليف الكاسيت | رقاقة متعددة تغليف الكاسيت | رقاقة متعددة تغليف الكاسيت |
وقت النشر: 18 أبريل 2023