ركيزة مركبة من السيليكون على نيوبات الليثيوم، بسماكة 0.3-50 ميكرومتر، بقياس 6-8 بوصات، مصنوعة من السيليكون/كربيد السيليكون/الياقوت.
الميزات الرئيسية
تتميز الركيزة المركبة من نوع LN-on-Si التي يتراوح حجمها من 6 إلى 8 بوصات بخصائصها المادية الفريدة ومعاييرها القابلة للتعديل، مما يتيح تطبيقها على نطاق واسع في صناعات أشباه الموصلات والإلكترونيات الضوئية:
1. توافق الرقاقات الكبيرة: يضمن حجم الرقاقات من 6 بوصات إلى 8 بوصات التكامل السلس مع خطوط تصنيع أشباه الموصلات الحالية (مثل عمليات CMOS)، مما يقلل من تكاليف الإنتاج ويتيح الإنتاج الضخم.
2. جودة بلورية عالية: تضمن تقنيات الترابط أو الترابط المحسّنة انخفاض كثافة العيوب في طبقة LN الرقيقة، مما يجعلها مثالية للمعدلات البصرية عالية الأداء، ومرشحات الموجات الصوتية السطحية (SAW)، وغيرها من الأجهزة الدقيقة.
3. سمك قابل للتعديل (0.3-50 ميكرومتر): طبقات LN الرقيقة للغاية (<1 ميكرومتر) مناسبة للرقائق الضوئية المتكاملة، بينما تدعم الطبقات الأكثر سمكًا (10-50 ميكرومتر) أجهزة الترددات اللاسلكية عالية الطاقة أو أجهزة الاستشعار الكهروإجهادية.
4. خيارات متعددة للركائز: بالإضافة إلى السيليكون، يمكن اختيار كربيد السيليكون (موصلية حرارية عالية) أو الياقوت (عزل عالي) كمواد أساسية لتلبية متطلبات التطبيقات عالية التردد أو عالية الحرارة أو عالية الطاقة.
5. الاستقرار الحراري والميكانيكي: توفر الركيزة المصنوعة من السيليكون دعمًا ميكانيكيًا قويًا، مما يقلل من التشوه أو التصدع أثناء المعالجة ويحسن إنتاجية الجهاز.
هذه الخصائص تجعل الركيزة المركبة من نوع LN-on-Si التي يتراوح حجمها من 6 إلى 8 بوصات مادة مفضلة للتقنيات المتطورة مثل اتصالات الجيل الخامس، و LiDAR، والبصريات الكمومية.
التطبيقات الرئيسية
تُستخدم الركيزة المركبة من نيوبات الليثيوم على السيليكون، والتي يتراوح حجمها من 6 إلى 8 بوصات، على نطاق واسع في الصناعات عالية التقنية نظرًا لخصائصها الكهروضوئية والكهرضغطية والصوتية الاستثنائية:
1. الاتصالات الضوئية والضوئيات المتكاملة: تمكين أجهزة التعديل الكهروضوئية عالية السرعة، والموجهات الموجية، والدوائر المتكاملة الضوئية (PICs)، مما يلبي متطلبات عرض النطاق الترددي لمراكز البيانات وشبكات الألياف الضوئية.
أجهزة الترددات اللاسلكية 2.5G/6G: إن معامل الكهروإجهاد العالي لـ LN يجعله مثاليًا لمرشحات الموجات الصوتية السطحية (SAW) ومرشحات الموجات الصوتية الحجمية (BAW)، مما يعزز معالجة الإشارات في محطات قاعدة 5G والأجهزة المحمولة.
3. الأنظمة الكهروميكانيكية الدقيقة وأجهزة الاستشعار: يعمل التأثير الكهروإجهادي لـ LN-on-Si على تسهيل مقاييس التسارع عالية الحساسية وأجهزة الاستشعار الحيوية ومحولات الطاقة فوق الصوتية للتطبيقات الطبية والصناعية.
4. تقنيات الكم: باعتبارها مادة بصرية غير خطية، تُستخدم الأغشية الرقيقة من نيوبات الليثيوم في مصادر الضوء الكمي (مثل أزواج الفوتونات المتشابكة) والرقائق الكمومية المتكاملة.
5. الليزر والبصريات غير الخطية: تتيح طبقات LN الرقيقة للغاية توليد التوافقي الثاني (SHG) وأجهزة التذبذب البارامتري البصري (OPO) بكفاءة لمعالجة الليزر والتحليل الطيفي.
تسمح الركيزة المركبة القياسية من نوع LN-on-Si التي يتراوح حجمها من 6 إلى 8 بوصات بتصنيع هذه الأجهزة في مصانع رقائق السيليكون واسعة النطاق، مما يقلل بشكل كبير من تكاليف الإنتاج.
التخصيص والخدمات
نقدم دعمًا فنيًا شاملاً وخدمات تخصيص للركائز المركبة من نوع LN-on-Si التي يتراوح حجمها من 6 إلى 8 بوصات لتلبية احتياجات البحث والتطوير والإنتاج المتنوعة:
1. التصنيع حسب الطلب: يمكن تعديل سمك طبقة LN (0.3-50 ميكرومتر)، واتجاه البلورة (قطع X/قطع Y)، ومادة الركيزة (Si/SiC/الياقوت) لتحسين أداء الجهاز.
2. معالجة الرقاقات: توريد كميات كبيرة من الرقاقات مقاس 6 بوصات و8 بوصات، بما في ذلك خدمات ما بعد المعالجة مثل التقطيع والتلميع والطلاء، مما يضمن أن تكون الركائز جاهزة لدمج الأجهزة.
3. الاستشارات الفنية والاختبارات: توصيف المواد (مثل XRD، AFM)، واختبار الأداء الكهروضوئي، ودعم محاكاة الجهاز لتسريع التحقق من صحة التصميم.
تتمثل مهمتنا في ترسيخ الركيزة المركبة من نوع LN-on-Si التي يتراوح حجمها من 6 إلى 8 بوصات كحل أساسي للمواد لتطبيقات الإلكترونيات الضوئية وأشباه الموصلات، وتقديم دعم شامل من البحث والتطوير إلى الإنتاج الضخم.
خاتمة
تُساهم الركائز المركبة من نيوبات الليثيوم على السيليكون، التي يتراوح حجمها بين 6 و8 بوصات، بفضل حجمها الكبير وجودة موادها الفائقة وتعدد استخداماتها، في دفع عجلة التقدم في الاتصالات الضوئية، وتقنيات الجيل الخامس للترددات اللاسلكية، وتقنيات الحوسبة الكمومية. سواءً كان ذلك للتصنيع بكميات كبيرة أو للحلول المُخصصة، فإننا نوفر ركائز موثوقة وخدمات مُتكاملة لدعم الابتكار التكنولوجي.










